Keysight EL4913A regenerative DC-elektronische Last

Überblick

Die Keysight EL4913A ist eine kompakte 1U-Klasse regenerative DC-elektronische Last mit einer Leistungskapazität von 2kW. Mit einem Bereich von 0 bis 80V und 0 bis 40A gibt die EL4913A die aufgenommene Energie effizient an das Stromnetz zurück und reduziert dadurch sowohl Energiekosten als auch Kühlungsanforderungen. Die EL4913A wurde für F&E-, Designvalidierungs- und Produktionsumgebungen entwickelt und verfügt über integrierte Spannungs- und Strommessungen, mehrere Ein-/Ausgangsschnittstellen und systemreife Funktionen, die die Testentwicklung beschleunigen.

Hauptmerkmale

• Regeneratives Design gibt bis zu 95% der aufgenommenen Energie an das Stromnetz zurück und reduziert Stromverbrauch und Kühlungskosten
• Einkanaliges programmierbare Last: 0 bis 80V, 0 bis 40A, 0 bis 2kW
• Wechselstrom-Eingabebereich: 200 bis 520VAC, 50/60 Hz
• Integrierte Spannungs- und Strommessfähigkeiten mit 3-Zoll-LCD-Display
• Wellenformgenerierungsfunktion zur Beschleunigung von Batterietests mit Spannungs- und Stromtransienten
• Betriebsmodi: konstante Spannung (CV), konstanter Strom (CC), konstanter Widerstand (CR), konstante Leistung (CP)
• Schritt-, konstante Verweilzeit- und beliebige Wellenformgenerierung für Transiententests
• Mehrere Betriebsmodi und vier zusätzliche komplexe Modi
• Parallelisierungsfähigkeit: bis zu 16 Einheiten können parallel geschaltet werden für bis zu 192 kW Gesamtleistung mit ausgewogenem Stromausgleich
• Integrierte Web-Schnittstelle für Fernsteuerung und Überwachung
• Standard-Konnektivität: Ethernet (LXI-core), USB 2.0, CAN I/O
• Optionale GPIB-, Analog- und RS-232-Schnittstellen
• Optionale PathWave BenchVue Software für Leistungsanalyse und Batterie-Emulator/Profiler-Funktionen
• Kompakte 1U-Rack-Form mit optionalen Rack-Montageohrmuscheln und Flanschkits
• Konform mit LXI Device Specification 2016

Anwendungen

• Stromversorgung und Batterietests mit Echtwelt-Transientensimulatione
• LED-Treiber und Leistungswandler-Charakterisierung
• Halbleiter mit breiter Bandlücke (MOSFET, IGBT) Gerätentests
• Validierung von hochleistungs-ATE-Systemen
• Batterie-Emulation und Profiling für Batterieverwaltungssystem-Tests
• Produktionstestumgebungen mit hoher Leistungsdichte